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K4S561632E-UC75,SRAM/缓存类器件

发布时间2025-8-13 13:56:00关键词:K4S561632E-UC75,SRAM/缓存类器件
摘要

K4S561632E-UC75,SRAM/缓存类器件

K4S561632E-UC75

K4S561632E-UC75:大容量缓存型存储器的高密度解决方案

概述

K4S561632E-UC75 是一种大容量静态存储器(SRAM/缓存类器件)封装变体,常出现在高性能计算、图形缓存、网络设备以及现场可编程逻辑(FPGA)等领域。具体参数会随厂商、封装和工艺批次而略有差异,但通常具备以下特征:高容量、并行数据总线、低功耗以及灵活的时序与接口选项,旨在在高速数据访问场景中提供稳定、可预测的缓存能力。

关键特性摘要

存储容量与组织

总容量:通常以兆位(Mbit)或千兆位(Gbit)计量;常见有 64 Mbit、128 Mbit 等变体,具体数值以厂商数据表为准。

数据总线宽度:常见 x8、x16、或 x32 结构,决定并行度和每次访问的数据位宽。

存取结构:适用于缓存/缓冲应用的 SRAM 风格接口,既可作为直接缓存使用,也可在系统级缓存层中作为快速存取单元。

时序与性能

访问时序:包括 tACC(有效访问时间)、tOH/tOL(输出时序)、tRC(行访问/刷新相关时序,若适用于某些缓存结构)等。具体数值随型号变体而异。

速度等级:通常以毫秒级/纳秒级的访问时间和工作频率来表示,某些版本可能提供同步/异步接口选项。

电源与电压

主供电:Vcc(核心电源)和 Vccq(I/O 电源)等,实际电压范围以厂商数据手册为准。

I/O 电压:与数据总线宽度相关的 I/O 电压范围,确保与主控芯片的兼容性。

功耗:静态功耗与动态功耗取决于工作频率、温度与电压条件,典型应用中需进行功耗预算。

封装与机械

封装类型:UC75 常指特定引脚数与外形的封装变体,实际封装名称(如 LCC、QFP、BGA 等)需以厂商提供的封装表确认。

引脚数与布局:UC75 封装通常意味着相对较高的引脚数,用于扩展存储位宽与外设接口。

工作环境与可靠性

工作温度等级:商用(0°C 至 70°C)、工业(-40°C 至 85°C)等,具体取决于采购批次和认证。

认证与合规:可能包含 RoHS、REACH、JEDEC 标准符合性、以及相关的温度/机械认证。

应用场景

高性能缓存:在 FPGA、多处理器系统、网络交换机/路由器等需要低延迟缓存的场景中提供快速数据缓冲。

数据密集型嵌入式系统:图像/视频处理、加速计算、边缘设备等对带宽与低功耗有要求的应用。

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